紫光集团存储器制造基地

　　紫光集团是中国最大的综合性集成电路企业，全球第三大手机芯片企业。2016年始，紫光集团相继在武汉、南京、成都开工建设总投资额近1000亿美元的存储芯片与存储器制造工厂，开启了紫光在芯片制造产业十年1000亿美元的宏大布局。2017年1月18日，紫光南京集成电路基地项目签约落户浦口区后，在市委、市政府的关心指导下，该项目加快推进，取得实质性进展。

　　紫光南京集成电路基地项目计划总占地约1500亩，拟总投资300亿美元，主要产品为3D-NAND FLASH存储芯片和DRAM内存芯片。全部建成达产后，可月产30万片，预计年产值可达150亿美元。其中一期占地594亩，计划总投资700亿元，规划总建筑面积52万平米，主要包括1座3D NAND Flash FAB厂房、综合支持楼及配套设施，拟购置清洗机、离子注入机、干法刻蚀机、湿法刻蚀机、各类测试机等设备共约2700台套。建成达产后，可月产10万片，预计年产值可达48亿美元。

　　紫光IC国际城项目为满足半导体产业基地项目及紫光云数项目而建设的配套国际社区，规划可容纳1万人左右，包含科技园、设计封装测试基地、国际学校（拟引入清华附中分校，建设从幼儿园到高中的国际学校）、商业、住宅等综合配套设施，总投资300亿元，一期为IC国际城研发园及配套设施，预计投资100亿元。

　　2018年9月30日，紫光集成电路基地项目一期桩基队伍进场，截止2019年4月上旬，现场桩基（总约1.5万根）施工和内部正式道路（共7条）全部结束。另外，施工图正在审查，主要围绕消防设计等问题进行对接，暂未取得图审意见；总包单位招标相关前期准备工作已启动。2019年1-5月份，入统数据1.9亿元（实际完成投资约3亿元）。目前现场处于暂停施工状态。